In kdschneider/tpt-goldbonder: Prozessoptimierung am tpt-Goldbonder

Einleitung {#intro}

Die neuen Wire-Bonder der Firma tpt führen regelmäßig zu einer Beschädigung der isolierenden SiO~2~-Schicht von Proben auf Si/SiO~2~. Durch Anlegen einer Spannung an das Backgate kann es durch diese Beschädigung zu einem Durchschlag Backgate-Spannung (Gate-Durchbruch) kommen. Der Einfluss des Bondens mit dem tpt Aluminium-Bonder auf die Wahrscheinlichkeit eines Gate-Durchbruchs wurde in meiner Bachelorarbeit untersucht. Für eine genaue Untersuchung des Verhaltens am tpt Gold-Bonder blieb jedoch keine Zeit.

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Ziel dieser Arbeit ist es daher festzustellen, ob das Bonden mit dem tpt Gold-Bonder zu Gate-Durchbrüchen führen kann. Dabei ist der Einfluss der wesentlichen Bondparameter auf die Wahrscheinlichkeit eines Gate-Durchbruchs von besonderem Interesse.

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